时创意群“芯”荟萃 高能产品亮相全球半导体产业(重庆)博览会-金沙js9线路中心

一、dram内存模组——

近几年来，时创意一直在默默地积极布局dram内存模组市场。目前，时创意已在ddr4产品上积累了大量的经验，建立成熟的生产制程体系，实现了批量生产和供货。时创意紧跟国际行业技术潮流，在此次展会上全新发布了scy ddr5 4800mhz内存模组产品。

为了满足客户对于内存带宽持续增长的需求，实现下一代计算机系统的更高性能目标，scy ddr5做了大量的改进，超过以前历代sdram，通过一系列强大的新功能和增强功能实现，在整体系统性能方面有极大提高，推进高速传输信号的极限，并直接解决了内存带宽增长的挑战。

scy ddr5内存模组着重提高容量和频率。在新的标准之下，其内存最高速度将会达到6.4gbps，udimm（unbuffered dual in-line memory modules无缓冲双列直插式内存模组）起始容量为16gb，最大容量为128 gb。

在容量层面，scy ddr5单颗芯片容量可达到64gbit，是ddr4 16gbit的4倍。在带宽上，scy ddr5的带宽将会是ddr4内存的两倍，预计将会达到4.8gbps，总带宽将会有38%的提升，最高可达到8400mhz左右。

相较ddr4,scy ddr5做出了很大改进:

• dfe反馈均衡器：
  在dq接收端上以多路判断反馈均衡器（dfe）的形式增加信号的均衡。在更高速率下，dfe缓解内部信号干扰（isi）的影响。
• 占空调节器（dca）：
  能调整包括dq和dqs在内部读取路径的占空比。它改进了信号经过期间小占空比失真,最终通过控制器优化对dq和dqs信号接收端的占空比。
• dqs间歇脉冲震荡电路：
  允许控制器监控由于电压和温度变化造成的dqs时钟树延迟的变化。
• 更低功耗：
  scy ddr5的工作电压由ddr4的工作电压1.2v降低到1.1v，进一步降低功耗。
• 通道的改变：
  除了更高数据速率和对i/o电路系统的改善外，scy ddr5 具有2个40-bit（32位数据 ecc）独立通道。当在ddr5颗粒与一个默认16的脉冲宽度（bl16）相结合时，允许一个单独脉冲仅使用其中一个独立通道，或仅使用半个dimm访问64b的数据。随着这两个独立通道提供交叉访问的能力，从而极大改善并发性。
• 更大的dram阵列：
  与ddr4比较，ddr5拥有双倍区块群（bg）数量，保持了区块/区块群的数量一样，这实际上使设备中的区块数量翻倍。除了同样区块刷新和在命令总线中提升前/后同步信号在命令总线外，有助于缓解ddr4中常见的传统性能瓶颈，改善整个内存接口的有效带宽。

二、固态硬盘——

g2000系列更是采用了全国产方案，采用长江存储 xtacking技术64层3d tlc闪存颗粒，连续读写性能最高可达到2590mb/s和2000mb/s，最大容量可支持1tb，同样具备可靠性强、性能稳定等产品特点。